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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Broadband Millimeter-Wave LNAs (47–77 GHz and 70–140 GHz) Using a T-Type Matching Topology
【24h】

Broadband Millimeter-Wave LNAs (47–77 GHz and 70–140 GHz) Using a T-Type Matching Topology

机译：使用T型匹配拓扑的宽带毫米波LNA（47–77 GHz和70–140 GHz）

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This paper presents the design and characterization of two broadband millimeter-wave LNAs realized in 0.25- $mu hbox{m}$ and 0.13- $mu hbox{m}$ SiGe BiCMOS technologies. Both circuits adopt a T-type matching topology to achieve the wide bandwidth (47–77 GHz for the $V$ -band LNA and 70–140 GHz for the $W/F$-band LNA). The measured maximum gain is about 23 dB for both LNAs. The measured noise figure (NF) is below 7.2 dB (from 50 to 75 GHz) for the $V$ -band LNA and below 7 dB (from 78 to 110 GHz) for the $W/F$-band LNA. Both LNAs are differential circuits and consume 52/54 mW dc power. To the best of the authors' knowledge, both LNAs achieve the widest bandwidth in corresponding frequency bands with very competitive gain and NF.
机译：<？Pub Dtl？>本文介绍了以0.25- <公式Formulatype =“ inline”> $ mu hbox {m} $ 实现的两个宽带毫米波LNA的设计和特性。 > 和0.13- $ mu hbox {m} $ SiGe BiCMOS技术。两种电路均采用T型匹配拓扑，以实现宽带宽（对于 $ V $ -band，带宽为47-77 GHz LNA和70-140 GHz的 $ W / F $ 带LNA）。对于两个LNA，测得的最大增益约为23 dB。对于 $ V $ 频段LNA，测得的噪声指数（NF）低于7.2 dB（从50到75 GHz）对于 $ W / F $ 频段LNA低于7 dB（从78至110 GHz）。两个LNA均为差分电路，消耗52/54 mW直流功率。据作者所知，这两个LNA都在具有相当竞争性的增益和NF的情况下在相应的频带中获得了最宽的带宽。

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