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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 70 nm 16 Gb 16-Level-Cell NAND flash Memory
【24h】

A 70 nm 16 Gb 16-Level-Cell NAND flash Memory

机译：70 nm 16 Gb 16级单元NAND闪存

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A 16 Gb 16-level-cell (16LC) NAND flash memory using 70 nm Design Rule has been developed . This 16LC NAND flash memory can store 4 bits in a cell which enabled double bit density comparing to 4-level-cell (4LC) NAND flash, and quadruple bit density comparing to single-bit (SLC) NAND flash memory with the same design rule. New programming method suppresses the floating gate coupling effect and enabled the narrow ${rm V_{th}}$ distribution for 16LC. The cache-program function can be achievable without any additional latches. Optimization of programming sequence achieves 0.62 MB/s programming throughput. This 16-level NAND flash memory technology reduces the cost per bit and improves the memory density even more.
机译：已经开发出使用70 nm设计规则的16 Gb 16级单元（16LC）NAND闪存。这款16LC NAND闪存可以在一个单元中存储4位，与采用4级单元（4LC）NAND闪存相比，其密度提高了两倍；而在相同设计规则下，与单位（SLC）NAND闪存相比，其密度提高了四倍。 。新的编程方法抑制了浮栅耦合效应，并使16LC的$ {rm V_ {th}} $分布窄。无需任何其他锁存器就可以实现高速缓存程序功能。编程顺序的优化实现了0.62 MB / s的编程吞吐量。这种16级NAND闪存技术降低了每位成本，并进一步提高了存储密度。

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