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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Design of a 0.9 V 2.45 GHz Self-Testable and Reliability-Enhanced CMOS LNA
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Design of a 0.9 V 2.45 GHz Self-Testable and Reliability-Enhanced CMOS LNA

机译：0.9 V 2.45 GHz可自我测试和增强可靠性的CMOS LNA的设计

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A self-testable and highly reliable low noise amplifier designed in 0.13 $mu$m CMOS technology is presented in this paper. This reliable LNA could be used to design the front-end of critical nodes in wireless local area networks to ensure data transmission. The LNA test, based on a built-in self test methodology, monitors its behavior. The test circuit is composed of one ${I}_{rm dd}$ sensor and one biasing voltage sensor, and it offers high fault coverage. The high reliability is ensured by the use of redundancies. The LNA works under a 0.9 V supply voltage and the test chip has RF characteristics suitable for 802.11b/g applications. Parametric faults are injected and detected to demonstrate the efficiency of the BIST circuitry. Thanks to the switching on redundant blocks, performances are maintained and hence this proves the reliability of the methodology proposed.
机译：本文介绍了一种采用0.13μmCMOS技术设计的可自我测试且高度可靠的低噪声放大器。这种可靠的LNA可用于设计无线局域网中关键节点的前端，以确保数据传输。 LNA测试基于内置的自测方法，可监视其行为。该测试电路由一个$ {I} _ {rm dd} $传感器和一个偏置电压传感器组成，并具有较高的故障覆盖率。通过使用冗余来确保高可靠性。 LNA在0.9 V的电源电压下工作，测试芯片具有适合802.11b / g应用的RF特性。注入并检测参数故障以证明BIST电路的效率。由于启用了冗余块，因此可以保持性能，因此证明了所提出方法的可靠性。

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