A Wideband Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dB Linear Power Gain and +8 dBm Maximum Saturated Output Power

Jin Y.; Sanduleanu M. A. T.; Long J. R.

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A Wideband Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dB Linear Power Gain and +8 dBm Maximum Saturated Output Power

机译：具有20 dB线性功率增益和+8 dBm最大饱和输出功率的宽带毫米波功率放大器

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A millimeter-wave power amplifier fabricated in 90 nm bulk CMOS technology consists of 3 identical cascode stages and on-chip matching networks (inter-stage, input, and output) implemented with wide-gap coplanar waveguides and M6-M5 (MIM) capacitors. The amplifier realizes a linear power gain of 19.7 dB at 52.4 GHz and 10.3 dB at 60 GHz. Maximum saturated output power and output-referred $-{hbox {1~dB}}$ compression point are $+hbox{8.2~dBm}$ and 3.1 dBm, respectively. Peak PAE is 4.2%. The 1.18 $,times,$0.96 ${hbox {mm}}{2}$ die consumes 75 mA when operating from a 2 V supply.

机译：采用90 nm大块CMOS技术制造的毫米波功率放大器，由3个相同的共源共栅级和片上匹配网络（级间，输入和输出）组成，并通过宽间隙共面波导和M6-M5（MIM）电容器实现。该放大器在52.4 GHz时实现19.7 dB的线性功率增益，在60 GHz时实现10.3 dB的线性功率增益。最大饱和输出功率和以输出为参考的$-{hbox {1〜dB}} $压缩点分别为$ + hbox {8.2〜dBm} $和3.1 dBm。峰值PAE为4.2％。当使用2 V电源供电时，1.18 $，×0.96 $ {hbox {mm}} {2} $芯片的功耗为75 mA。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2008年第7期|p.1553-1562|共10页
作者
Jin Y.; Sanduleanu M. A. T.; Long J. R.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
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