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【24h】

Low-Frequency Noise Phenomena in Switched MOSFETs

机译：开关MOSFET中的低频噪声现象

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In small-area MOSFETs widely used in analog and RF circuit design, low-frequency (LF) noise behavior is increasingly dominated by single-electron effects. In this paper, the authors review the limitations of current compact noise models which do not model such single-electron effects. The authors present measurement results that illustrate typical LF noise behavior in small-area MOSFETs, and a model based on Shockley-Read-Hall statistics to explain the behavior. Finally, the authors treat practical examples that illustrate the relevance of these effects to analog circuit design. To the analog circuit designer, awareness of these single-electron noise phenomena is crucial if optimal circuits are to be designed, especially since the effects can aid in low-noise circuit design if used properly, while they may be detrimental to performance if inadvertently applied
机译：在广泛用于模拟和RF电路设计的小面积MOSFET中，低频（LF）噪声行为越来越受到单电子效应的支配。在本文中，作者回顾了当前的紧凑型噪声模型的局限性，该模型不能为这种单电子效应建模。作者展示了测量结果，这些结果说明了小面积MOSFET中典型的LF噪声行为，以及一个基于Shockley-Read-Hall统计数据的模型来解释这种行为。最后，作者处理了一些实际例子，这些例子说明了这些效应与模拟电路设计的相关性。对于模拟电路设计人员来说，要设计最佳电路，了解这些单电子噪声现象至关重要，尤其是因为如果使用得当，其效果会有助于低噪声电路设计，而如果不小心使用它们，可能会对性能造成不利影响。

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