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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 2.8-W Q-Band High-Efficiency Power Amplifier
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A 2.8-W Q-Band High-Efficiency Power Amplifier

机译：2.8W Q波段高效功率放大器

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A highly efficient and high-power monolithic power amplifier operating at Q-band is presented utilizing 0.15-mum pseudomorphic InGaAs/GaAs HEMT production process on 2-mil-thick substrate. Over 42-46 GHz frequency range, the amplifier demonstrated maximum power of 2.8 W (34.5 dBm) and power-added efficiency (PAE) of 23% to 26% when operated at 5 V and 250 mA/mm. The amplifier attained maximum PAE of 24% to 29% and power of 33.6-34 dBm when biased at 5 V and 125 mA/mm. At these power levels and PAEs, the amplifier exhibited power densities in excess of 430 mW/mm. With device periphery ratio of 1:2.857, effective phase compensation of the input feed network, and low-loss output-combining network, the power amplifier has been able to attain state-of-the-art efficiency and power performance
机译：提出了一种在Q波段工作的高效，高功率单片功率放大器，该器件在2密耳厚的基板上采用0.15微米伪晶格的InGaAs / GaAs HEMT生产工艺。在42V至46GHz的频率范围内，该放大器在5 V和250 mA / mm下工作时，最大功率为2.8 W（34.5 dBm），功率附加效率（PAE）为23％至26％。当以5 V和125 mA / mm偏置时，放大器的最大PAE为24％至29％，功率为33.6-34 dBm。在这些功率水平和PAE下，放大器的功率密度超过430 mW / mm。凭借1：2.857的设备外围比率，有效的输入馈电网络相位补偿以及低损耗的输出合并网络，该功率放大器能够获得最先进的效率和功率性能

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