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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >100-Gb/s 2{sup}7 - 1 and 54-Gb/s 2{sup}11 - 1 PRBS Generators in SiGe Bipolar Technology
【24h】

100-Gb/s 2{sup}7 - 1 and 54-Gb/s 2{sup}11 - 1 PRBS Generators in SiGe Bipolar Technology

机译：SiGe双极技术中的100 Gb / s 2 {sup} 7-1和54-Gb / s 2 {sup} 11-1 PRBS发生器

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This paper presents two monolithic pseudorandom bit sequence (PRBS) generators. One circuit uses a seven-stage shift register operating with a half-rate clock and provides output signals up to 100 Gb/s. The second circuit contains an eleven-stage shift register operating with a full-rate clock up to 54 Gb/s. Both PRBS generators provide a wide range of data rates down to below 1 Gb/s simply by changing the frequency of the external clock signal without the need of any further adjustments. The integrated circuits provide a trigger output which can be switched between eye and pattern display. Furthermore, they contain additional circuitry to guarantee automatic start after power-on. The circuits are manufactured in a 200-GHz F{sub}T SiGe bipolar technology. They each have a chip size of 900 × 700 μm{sup}2 and consume 1.5 and 1.9 W, respectively.
机译：本文介绍了两个整体式伪随机位序列（PRBS）生成器。一种电路使用以半速率时钟运行的七级移位寄存器，并提供高达100 Gb / s的输出信号。第二个电路包含一个十一级移位寄存器，其全速率时钟高达54 Gb / s。两种PRBS发生器都可以通过改变外部时钟信号的频率来提供低至1 Gb / s以下的广泛数据速率，而无需任何进一步的调整。集成电路提供触发输出，可以在眼图和图形显示之间切换。此外，它们还包含其他电路，以确保加电后自动启动。这些电路采用200 GHz F {sub} T SiGe双极技术制造。它们各自的芯片尺寸为900×700μm{sup} 2，分别消耗1.5 W和1.9W。

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