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【24h】

A polar modulator transmitter for GSM/EDGE

机译:GSM / EDGE的极性调制器发射机

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摘要

This 0.5-Μm SiGe BiCMOS polar modulator IC adds EDGE transmit capability to a GSM transceiver IC without any RF filters. Envelope information is extracted from the transmit IF and applied to the phase-modulated carrier in an RF variable gain amplifier which follows the integrated transmit VCO. The dual-band IC supports all four GSM bands. In EDGE mode, the IC produces more than 1 dBm of output power with more than 6 dB of margin to the transmit spectrum mask and less than 3% rms phase error. In GSM mode, more than 7 dBm of output power is produced with noise in the receive band less than -164 dBc/Hz.
机译:这种0.5μm的SiGe BiCMOS极性调制器IC在没有任何RF滤波器的情况下为GSM收发器IC增加了EDGE传输能力。包络信息是从发射IF中提取出来的,并施加到跟随集成发射VCO的RF可变增益放大器中的调相载波上。双频段IC支持所有四个GSM频段。在EDGE模式下,该IC产生的输出功率超过1 dBm,对发射频谱模板的裕度超过6 dB,并且均方根误差小于3%。在GSM模式下,在接收频带内的噪声小于-164 dBc / Hz的情况下,会产生超过7 dBm的输出功率。

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