40-Gb/s amplifier and ESD protection circuit in 0.18-Μm CMOS technology

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2004年第12期|p.2389-2396|共8页
• 作者

  Galal S.; Razavi B.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS integrated circuits; coils; electrostatic discharge; resonance; wideband amplifiers; 0.18 micron; 15 dB; 190 mW; 2.2 V; 700 to 800 V; CMOS technology; ESD protection circuit; T-coil; broadband amplifier; distributed amplifier; inductive peaking; negative capacitanc;

  机译：CMOS集成电路;线圈;静电放电;谐振;宽带放大器;0.18微米;15 dB;190 mW;2.2 V;700至800 V;CMOS技术;ESD保护电路;T线圈;宽带放大器;分布式放大器;电感峰值负电容;