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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 1.2-GIPS/W microprocessor using speed-adaptive threshold-voltageCMOS with forward bias
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A 1.2-GIPS/W microprocessor using speed-adaptive threshold-voltageCMOS with forward bias

机译：一个1.2GIPS / W微处理器，使用速度自适应阈值电压CMOS和正向偏置

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In a speed-adaptive threshold-voltage CMOS (SA-Vt CMOS)nscheme, the substrate bias is controlled so that delay in a circuitnremains constant. The substrate bias is continuously changed from -1.5 Vnof reverse bias to 0.5 V of forward bias in order to compensate fornfabrication-process fluctuation, supply-voltage variation, andnoperating-temperature variation. Advantages and disadvantages ofnsubstrate bias control with the forward bias are discussed. The SA-VtnCMOS scheme with forward bias is implemented in a 4.3M-transistornmicroprocessor. The controller occupies 320×400 Μm in area andnconsumes 4-mA current. A 0.5-V forward bias raises the maximum operatingnfrequency of the processor by 10%. The processor provides 400 VAX MIPSnat 1.5-1.8 V supply with 320-380-mW power dissipation, that is, itnachieves 1.2-GIPS/W performance
机译：在速度自适应阈值电压CMOS（SA-Vt CMOS）nscheme中，控制衬底偏置以使电路中的延迟保持恒定。为了补偿制造过程的波动，电源电压的变化和工作温度的变化，基板的偏压从-1.5 Vnof的反向偏压连续变为0.5 V的正向偏压。讨论了采用正向偏置进行衬底偏置控制的优缺点。具有正向偏置的SA-VtnCMOS方案是在4.3M晶体管晶体管中实现的。控制器占地320×400μm，n消耗4mA电流。 0.5 V正向偏置将处理器的最大工作频率提高了10％。该处理器提供400 VAX MIPSnat 1.5-1.8 V电源，功耗为320-380 mW，即，其性能达到1.2 GIPS / W

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