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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A post-package bit-repair scheme using static latches withbipolar-voltage programmable antifuse circuit for high-densityDRAMs
【24h】

A post-package bit-repair scheme using static latches withbipolar-voltage programmable antifuse circuit for high-densityDRAMs

机译：使用静态锁存器和双极性电压可编程反熔丝电路的高密度DRAM封装后位修复方案

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A bipolar-voltage programmable antifuse circuit scheme andnbit-repair scheme are newly proposed for post package repair. Fornfail-bit repair, the antifuses in the proposed scheme are programmed bynbipolar voltages of VCC and -VCC, alleviatingnhigh-voltage problems such as permanent device breakdown and achieving ansmaller layout area for the antifuse circuit than the previous scheme.nIn addition, an efficient bit-repair scheme is used instead of thenconventional line-repair scheme, reducing the layout area for thenredundancy bits. Also, using static latches instead of dynamic memoryncells for the redundancy bits eliminates possible defects in thenredundancy area, making this bit-repair scheme robust and avoidingnburn-in stress issues. Through manufacturing commercial DRAM products,nthe yield improvement by the one-bit post-package repair reaches as muchnas 2.4% for 0.16-Μm triple-well 256-M SDRAM
机译：提出了一种双极性电压可编程反熔丝电路方案和nbit修复方案，用于后封装修复。对于无故障位修复，通过VCC和-VCC的双极性电压对拟议方案中的反熔丝进行编程，从而减轻了诸如永久性器件击穿之类的高压问题，并且与以前的方案相比，减小了反熔丝电路的布局面积.n此外，高效位-repair方案代替了传统的行修复方案，从而减少了冗余位的布局面积。同样，对冗余位使用静态锁存器代替动态存储单元可以消除冗余区域中的可能缺陷，从而使该位修复方案更稳健并避免烙印应力问题。通过制造商用DRAM产品，对于0.16-μm三阱256-M SDRAM，通过一次位封装后修复，良率提高了2.4％。

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