A 43-Gb/s full-rate-clock 4:1 multiplexer in InP-based HEMT technology

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2002年第12期|p.1703-1709|共7页
• 作者

  Nakasha Y.; Suzuki T.; Kano H.; Tsukashima K.; Ohya A.; Sawada K.; Makiyama K.; Takahashi T.; Nishi M.; Hirose T.; Takikawa M.; Watanabe Y.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; field effect digital integrated circuits; indium compounds; multiplexing equipment; optical communication equipment; timing; -5.2 V; 0.13 micron; 40 to 47 Gbit/s; 43 Gbit/s; 7.9 W; D-type flip-flop; InP; InP-based HEMT t;

  机译：HEMT集成电路;III-V半导体;场效应数字集成电路;铟化合物;多路复用设备;光通信设备;定时;-5.2 V;0.13微米;40至47 Gbit / s;43 Gbit / s;7.9 W;D型触发器;InP;基于InP的HEMT t;