A novel low-voltage content-addressable-memory (CAM) cell with afast tag-compare capability using partially depleted (PD) SOI CMOSdynamic-threshold (DTMOS) techniques

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2001年第4期|p.712-716|共5页
• 作者

  Liu S.C.; Wu F.A.; Kuo J.B.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS analogue integrated circuits; CMOS memory circuits; VLSI; content-addressable storage; integrated circuit modelling; low-power electronics; silicon-on-insulator; 0.7 V; 2D semiconductor device simulation program; MEDICI; SRAM cell portion; fast tag-compare cap;

  机译：CMOS模拟集成电路;CMOS存储器电路;VLSI;内容可寻址存储;集成电路建模;低功耗电子设备;绝缘体上硅;0.7 V;2D半导体器件仿真程序;MEDICI;SRAM单元部分;快速标签比较帽;