A Si BiCMOS transimpedance amplifier for 10-Gb/s SONET receiver

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2001年第5期|p.769-776|共8页
• 作者

  Kim H.H.; Chandrasekhar S.; Burrus C.A. Jr.; Bauman J.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  BiCMOS analogue integrated circuits; SONET; elemental semiconductors; feedback amplifiers; optical fibre communication; optical receivers; p-i-n photodiodes; silicon; 0.25 micron; 10 Gbit/s; 9 GHz; BiCMOS; SONET receiver; Si; bandwidth; bit-error rate; filter terminatio;

  机译：BiCMOS模拟集成电路;SONET;元素半导体;反馈放大器;光纤通信;光接收器;引脚光电二极管;硅;0.25微米;10 Gbit / s;9 GHz;BiCMOS;SONET接收器;Si;带宽;误码率;过滤器终端;