A 126.6-mm2 AND-type 512-Mb flash memory with 1.8-Vpower supply

著录项

• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2001年第11期|p.1707-1712|共6页
• 作者

  Ishii T.; Oshima K.; Sato H.; Noda S.; Kishimoto J.; Kotani H.; Nozoe A.; Furusawa K.; Yoshitake T.; Kato M.; Takahashi M.; Sato A.; Kubono S.; Manita K.; Koda K.; Nakayama T.; Hosogane A.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS memory circuits; flash memories; low-power electronics; 1.8 V; 126.6 mm; 512 Mbit; AND-type flash memory; CMOS process; audio players; charge pump; control of pumps; low voltage operation; multilevel technique; portable equipment; read-modify-write mode; reduced t;

  机译：CMOS存储器电路;闪存;低功耗电子设备;1.8 V;126.6 mm;512 Mbit;AND型闪存;CMOS工艺;音频播放器;电荷泵;泵的控制;低压操作;多级技术;便携式设备;读-修改-写模式;减少t;