A 10-Gb/s high-isolation, 16×16 crosspoint switch implementedwith AlGaAs/GaAs HBT's

著录项

• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2000年第4期|p.593-600|共8页
• 作者

  Metzger A.G.; Chang C.E.; Pedrotti K.D.; Beccue S.M.; Keh-Chung Wang; Asbeck P.M.;

  展开▼
• 作者单位

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  III-V semiconductors; aluminium compounds; bipolar digital integrated circuits; bipolar transistor switches; crosstalk; data communication equipment; digital communication; electronic switching systems; gallium arsenide; heterojunction bipolar transistors; high-sp;

  机译：III-V半导体;铝化合物;双极数字集成电路;双极晶体管开关;串扰;数据通信设备;数字通信;电子开关系统;砷化镓;异质结双极晶体管;高sp;