Design and fabrication of a high-dynamic-range image sensor in TFA technology

Lule T.; Schneider B.

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Design and fabrication of a high-dynamic-range image sensor in TFA technology

机译：TFA技术的高动态范围图像传感器的设计与制造

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Image sensors in thin film on ASIC (TFA) technology are composed of amorphous silicon (a-Si:H) thin-film detectors on top of crystalline ASIC's. With regard to advanced imaging systems, TFA provides enhanced performance and more flexibility than conventional technologies. Extensive on-chip signal processing is feasible, as well as small pixels for high-resolution imagers. Several prototypes of TFA sensors have been developed, optimized for considerably different applications. This paper focuses on a TFA sensor for automotive vision systems that allows each pixel to adapt its individual sensitivity to the local illumination intensity. By this means, a dynamic range of 120-dB minimum along with high local contrast is achieved. The recent second prototype array consists of 368/spl times/256 pixels with an area of 40/spl times/38 /spl mu/m/sup 2/ each. The ASIC's were fabricated in a 0.7-/spl mu/m CMOS technology, whereupon the a-Si:H thin film was deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition cluster system.

机译：ASIC（TFA）技术上的薄膜图像传感器由晶体ASIC顶部的非晶硅（a-Si：H）薄膜检测器组成。关于先进的成像系统，TFA提供了比常规技术更高的性能和更大的灵活性。广泛的片上信号处理以及高分辨率成像器的小像素都是可行的。已经开发了几种TFA传感器原型，并针对大量不同的应用进行了优化。本文重点介绍了用于汽车视觉系统的TFA传感器，该传感器允许每个像素将其各自的灵敏度调整为适合本地照明强度。通过这种方式，可以实现最小120 dB的动态范围以及高局部对比度。最近的第二个原型阵列由368 / spl次/ 256像素组成，每个区域的面积为40 / spl次/ 38 / spl mu / m / sup 2 /。 ASIC是在0.7- / splμm/ m CMOS技术中制造的，随后a-Si：H薄膜被沉积在等离子体增强的化学气相沉积簇系统中。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1999年第5期|P.704-711|共8页
作者
Lule T.; Schneider B.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词

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