...
首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Low-power bandgap references featuring DTMOSTs
【24h】

Low-power bandgap references featuring DTMOSTs

机译:具有DTMOST的低功耗带隙基准

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

This paper describes two CMOS bandgap reference circuits featuringndynamic-threshold MOS transistors. The first bandgap reference circuitnaims at application in low-voltage, low-power ICs that tolerate mediumnaccuracy. The circuit runs at supply voltages down to 0.85 V whilenconsuming only 1 ΜW; the die area is 0.063 mm2 in anstandard digital 0.35-Μm CMOS process. The second bandgap referencencircuit aims at high accuracy operation (Σ=0.3%) without trimming.nIt consumes approximately 5 ΜW from a 1.8-V supply voltage andnoccupies 0.06 mm2 in a standard 0.35-Μm CMOS process
机译:本文介绍了两个具有动态阈值MOS晶体管的CMOS带隙基准电路。第一个带隙基准电路最初用于可容忍中等精度的低压,低功耗IC。该电路在低至0.85 V的电源电压下运行,而仅消耗1 MW。在标准的数字0.35-μmCMOS工艺中,芯片面积为0.063 mm2。第二个带隙基准电压源电路旨在在不进行修整的情况下实现高精度工作(Σ= 0.3%)。n在1.8V电源电压下消耗约5MW的功率,而在0.35μm的标准CMOS工艺中的功耗为0.06mm2

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号