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机译:具有DTMOST的低功耗带隙基准
CMOS analogue integrated circuits; low-power electronics; reference circuits; 0.35 micron; 0.85 V; 1 muW; 1.8 V; 5 muW; CMOS process; DTMOST; LV low-power ICs; dynamic-threshold MOS transistors; dynamic-threshold MOSFETs; high accuracy operation; low-power bandgap ref;
机译:具有DTMOST的低功耗带隙基准
机译:低功耗系统的1.8-NW Sub-1-V自偏置子带隙参考
机译:基于低功耗的基于NMOS的带隙参考,操作从-55°C为125°C,锂离子电池兼容性
机译:低电流CMOS带隙基准电压发生器使用电流差分放大器和DTMOST二极管
机译:总电离剂量和剂量率对(正负)BJT带隙基准的影响
机译:具有高PSRR的纳米级低功耗无电阻电压基准
机译:低功耗系统的1.8-NW Sub-1-V自偏置子带隙参考