A highly miniaturized front-end HIC for 1.9 GHz bands

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1998年第9期|p.1284-1289|共6页
• 作者

  Nakatsuka T.; Itoh J.; Yoshida T.; Nishitsuji M.; Uda T.; Ishikawa O.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  UHF integrated circuits; circuit tuning; flip-chip devices; hybrid integrated circuits; lead bonding; mobile communication; 0.5 micron; 1.9 GHz; 16.0 dB; 3.0 V; 4.5 mA; 5.1 dB; GaAs; buried p-layer MESFETs; conversion gain; dip-chip bond; high-dielectric constant capaci;

  机译：UHF集成电路;电路调谐;倒装芯片器件;混合集成电路;引线键合;移动通信;0.5微米;1.9 GHz;16.0 dB;3.0 V;4.5 mA;5.1 dB;GaAs;埋入p层MESFET;转换增益芯片键合;高介电常数电容;