InP DHBT technology and design methodology for high-bit-rate optical communications circuits

Andre P.; Benchimol J.-L.

首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >InP DHBT technology and design methodology for high-bit-rate optical communications circuits

【24h】

InP DHBT technology and design methodology for high-bit-rate optical communications circuits

机译：用于高比特率光通信电路的InP DHBT技术和设计方法

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

High-bit-rate optical communication links require high performance circuits. Electrical time division multiplex (ETDM) single channel bit-rate of 40 Gb/s is at hand, due to recent progress in both technology and design methodology. Multilevel modulation format can be envisaged for ETDM transmission. An InP double heterojunction bipolar transistor technology is presented in this paper. The methodology used and tools developed with optical communications in mind are also discussed. Fabricated circuits are reported: 40 Gb/s multiplexer and demultiplexer, a 20 Gb/s driver, a 30 Gb/s selector-driver, a 22 Gb/s decision circuit, and a decision-decoding circuit for multilevel transmissions.

机译：高比特率光通信链路需要高性能电路。由于技术和设计方法的最新进展，电时分复用（ETDM）单通道比特率为40 Gb / s。可以为ETDM传输设想多级调制格式。本文提出了一种InP双异质结双极晶体管技术。还讨论了所使用的方法论和开发时考虑到光通信的工具。报告了制造电路：40 Gb / s复用器和解复用器，20 Gb / s驱动器，30 Gb / s选择器驱动器，22 Gb / s判定电路和用于多级传输的判定解码电路。

著录项

来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1998年第9期|P.1328-1335|共8页
作者
Andre P.; Benchimol J.-L.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. InP DHBT technology and design methodology for high-bit-rateoptical communications circuits [J] . Andre P., Benchimol J.-L., Desrousseaux P., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1998,第9期

机译：高比特率光通信电路的InP DHBT技术和设计方法
2. InGaAs/InP DHBT technology and design methodology for over 40 Gb/soptical communication circuits [J] . Andre P., Blayac S., Berdaguer P., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2001,第9期

机译：用于超过40 Gb /光通信电路的InGaAs / InP DHBT技术和设计方法
3. High-sensitivity decision circuit in InP/InGaAs DHBT technology and 40-80 Gbit/s optical experiments [J] . Konczykowska A., Jorge F., Kasbari A., Electronics Letters . 2003,第21期

机译：InP / InGaAs DHBT技术中的高灵敏度决策电路和40-80 Gbit / s的光学实验
4. 40 Gbit/s optical communications: InP DHBT technology, circuits and system experiments [C] . Godin, J., Andre, . 1999

机译：40 Gbit / s光通信：InP DHBT技术，电路和系统实验
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Nanoscale on-chip all-optical logic parity checker in integrated plasmonic circuits in optical communication range [O] . Feifan Wang, Zibo Gong, Xiaoyong Hu, -1

机译：集成等离子电路中光通信范围内的纳米级片上全光逻辑奇偶校验器
7. 50 Gb/s DFF and decision circuits in InP DHBT technology for ETDM systems [O] . Konczykowska A., Jorge F., Riet M., 2005

机译：InP DHBT技术中用于ETDM系统的50 Gb / s DFF和判定电路
8. BMDO Fiber-Optic Technologies for Telecommunications. Part 2: Optical Switches and Circuity [R] . 2001

机译：BmDO电信光纤技术。第2部分：光学开关和电路

InP DHBT technology and design methodology for high-bit-rate optical communications circuits

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅