A scaleable, statistical SPICE Gummel-Poon model for SiGe HBTs

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1998年第9期|p.1439-1444|共6页
• 作者

  Walter K.M.; Ebersman B.; Sunderland D.A.; Berg G.D.; Freeman G.G.; Groves R.A.; Jadus D.K.; Harame D.L.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  BiCMOS integrated circuits; Gaussian distribution; Ge-Si alloys; SPICE; heterojunction bipolar transistors; semiconductor device models; semiconductor materials; statistical analysis; BiCMOS technology; HSPICE; IBM HBT technology; SPICE Gummel-Poon model; SiGe HBTs;

  机译：BiCMOS集成电路;高斯分布;Ge-Si合金;SPICE;异质结双极晶体管;半导体器件模型;半导体材料;统计分析;BiCMOS技术;HSPICE;IBM HBT技术;SPICE Gummel-Poon模型;SiGe HBT;