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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >New insight into subharmonic oscillation mode of GaAs power amplifiers under severe output mismatch condition
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New insight into subharmonic oscillation mode of GaAs power amplifiers under severe output mismatch condition

机译：严重输出失配条件下GaAs功率放大器次谐波振荡模式的新见解

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This paper provides new insight into the cause of subharmonic generation in GaAs MESFET power amplifiers under severe output mismatch conditions. A nonlinear modeling methodology is developed to identify the root cause of subharmonic oscillations and provides a means to implement circuit techniques to suppress this mode of oscillation without degrading the desired power amplifier performance. The primary mechanism for low-order subharmonics generated as a result of large signal drive and severe output mismatch is shown to be parametric. This modeling-based technique is enabled through the use of a time domain MESFET model which achieves excellent convergence by avoiding the discontinuity in high-order derivatives that is typical of implementations that use conditional functions. This technique provides the design engineer for the first time the ability to determine the large signal parametric stability of a power amplifier operating into a severe mismatch and implement circuit solutions prior to MMIC fabrication.
机译：本文提供了在严重输出失配条件下GaAs MESFET功率放大器中产生次谐波的原因的新见解。开发了一种非线性建模方法来识别次谐波振荡的根本原因，并提供了一种实现电路技术以抑制这种振荡模式而不降低所需功率放大器性能的方法。由于大信号驱动和严重的输出失配而产生的低阶次谐波的主要机制是参数化的。这种基于建模的技术是通过使用时域MESFET模型来实现的，该模型通过避免高阶导数的不连续性（使用条件函数的典型实现）来实现出色的收敛性。该技术首次为设计工程师提供了确定功率放大器的大信号参数稳定性的能力，该功率放大器在严重失配时工作，并在MMIC制造之前实现了电路解决方案。

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