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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Bit-line clamped sensing multiplex and accurate high voltage generator for quarter-micron flash memories
【24h】

Bit-line clamped sensing multiplex and accurate high voltage generator for quarter-micron flash memories

机译：位线钳位感测多路复用器和精确的高压发生器，用于四分之一微米闪存

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This paper proposes circuit technologies adaptable to the potential scalability of flash memory cells and an accurate internal voltage generator for use under low voltage operation. A circuit with a relaxed layout pitch, bit-line clamped sensing multiplex, and intermittent burst data transfer (four phases with 500 ns/20 ns) is proposed for a three times feature-size pitch. A 5-/spl mu/A low-power dynamic band-gap generator with voltage boosted by using triple-well bipolar transistors and voltage-doubler charge pumping, for accurate generation of 10 to 20 V, are also proposed for use at V/sub vv/ of under 2.5 V. To demonstrate the circuit feasibility, a 105.9-mm/sup 2/ 128-Mb experimental chip was fabricated using 0.25-/spl mu/m technology.
机译：本文提出了适合于闪存单元的潜在可扩展性的电路技术，以及一种在低压操作下使用的精确内部电压发生器。针对三倍特征尺寸的间距，提出了一种具有宽松布局间距，位线钳位感测多路复用和间歇性突发数据传输（四个相位为500 ns / 20 ns）的电路。还建议在V /下使用5- / spl mu / A低功率动态带隙发生器，该器件通过使用三阱双极晶体管和倍压器电荷泵升压来准确产生10至20 V的电压。低于2.5V。为了证明电路的可行性，使用0.25- / spl mu / m技术制造了105.9-mm / sup 2 / 128-Mb实验芯片。

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