A 35 ns cycle time 3.3 V only 32 Mb NAND flash EEPROM

Iwata Y.; Imamiya K.

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A 35 ns cycle time 3.3 V only 32 Mb NAND flash EEPROM

机译：35 ns的循环时间3.3 V仅32 Mb NAND闪存EEPROM

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A 32 Mb NAND type flash EEPROM has been developed with 0.425 /spl mu/m CMOS technology. A 35 ns cycle time is achieved by adopting a pipeline scheme. A boosted word-line scheme and a program verify operation achieving tight threshold voltage (Vth) distribution of programmed cells reduce read-out access time. Multiple block erase operation is realized by adopting erase block registers. All functions are operable with a single 5.3 V or 5 V power supply.

机译：已经开发出一种采用0.425 / spl mu / m CMOS技术的32 Mb NAND型闪存EEPROM。采用流水线方案可实现35 ns的循环时间。增强的字线方案和程序验证操作可实现已编程单元的严格阈值电压（Vth）分布，从而缩短了读取访问时间。通过采用擦除块寄存器来实现多块擦除操作。所有功能都可以通过一个5.3 V或5 V电源供电。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1995年第11期|P.1157-1164|共8页
作者
Iwata Y.; Imamiya K.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
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