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首页> 外文期刊>Solid State Communications >Reentrant high-conduction state in CuIr_2S_4 under pressure
【24h】

Reentrant high-conduction state in CuIr_2S_4 under pressure

机译：压力下CuIr_2S_4的折返高导态

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The results of electrical resistance and angle dispersive X-ray diffraction measurements at high pressures and ambient temperature on the chalcogenide spinel, CuIr_2S_4 are reported. The resistance increases gradually and reaches around 12 GPa a value that is approximately forty times the initial value. Above 15 GPa, the resistance decreases up to 30 GPa and on further pressure increase tends to saturate at a value slightly above the ambient pressure value. Thus, the material exhibits a reentrant high conducting phase under pressure. The behaviour of the electrical resistance exhibits a close correlation with the structural evolution with pressure.
机译：报道了硫属元素化物尖晶石CuIr_2S_4在高压和环境温度下的电阻和角度色散X射线衍射测量结果。电阻逐渐增加并达到12 GPa左右，约为初始值的40倍。高于15 GPa时，电阻降低到30 GPa，并且在进一步增加压力时趋于饱和，其值略高于环境压力值。因此，该材料在压力下表现出可折弯的高导电相。电阻的行为与受压结构的演变密切相关。

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