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On the upper limit of thermal conductivity GaN crystals

机译：GaN晶体的导热系数上限

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The maximal value of thermal conductivity κ_(max) of the perfect wurtzite GaN crystal containing isotopes of natural abundance is estimated. Our upper limit of κ = 4800 W/K m at T_(max) = 32 K is smaller than that calculated by Liu and Balandin κ = 6000 W/K m and higher than that obtained by Slack et al. κ = 3750 W/K m. The phenomenological dependence κ α T~(-1.43) obtained by Mion et al. for the temperature interval 300-450 K is extended to 200-300 K. For temperatures higher than T_(max) the best fitting of our experimental data to Callaway's formula is obtained for Grueneisen's constant equal to γ = 1.35.
机译：估算了包含自然丰度同位素的纤锌矿型GaN晶体的最大导热系数κ_（max）。在T_（max）= 32 K时，我们的κ= 4800 W / K m的上限小于Liu和Balandin计算的κ= 6000 W / K m的上限，并且高于Slack等人获得的上限。 κ＝ 3750W / K·m。由Mion等人获得的现象学依赖性καT〜（-1.43）。对于300-450 K的温度区间，扩展到200-300K。对于高于T_（max）的温度，对于Grueneisen常数γ= 1.35，我们的实验数据与Callaway公式的最佳拟合。

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