机译:LiYF4内在缺陷的扩展离子方法研究
Nanjing Normal Univ, Dept Phys, Nanjing 210097, Peoples R China;
Nanjing Univ Informat Sci & Technol, Dept Phys, Nanjing 210044, Peoples R China;
LiYF4; F center; V-k center; self-trapped exciton (STE); SELF-TRAPPED-EXCITON; ALKALI-HALIDES; DOPED LIYF4; CRYSTALS; LASER; CAF2;
机译:KMgF3的内在缺陷:从头算和扩展离子研究
机译:用一原子方法研究氧化锡的内在缺陷
机译:纤锌矿型ZnO本征点缺陷形成能的收敛:投影仪增强波法的第一性原理研究
机译:压力对大直径缺陷Si晶体内在点缺陷行为的影响的理论研究
机译:通过光学和磁共振方法表征Si中Pt-H相关缺陷和ZnTe中固有缺陷。
机译:捕获天然相互作用:研究染色质构象的内在方法
机译:脉冲磁共振法研究非化学计量B-SiC纳米粒子的本征缺陷
机译:siO2薄膜中固有键合缺陷和杂质的电子顺磁共振研究