机译:InAs(100)和InP(100)上的Fe接触的特征在于转换电子Mossbauer光谱
Aarhus Univ, Inst Phys & Astron, DK-8000 Aarhus C, Denmark;
thin films; Mossbauer spectroscopy; phase transitions; ALLOYS;
机译:InP(100)和InP(311)B衬底上InAs / InP量子点的电子和光学性质:理论和实验
机译:N-2等离子体钝化的InP(100)表面的俄歇电子能谱和电特性
机译:通过扫描隧道显微镜,光电子能谱和从头算计算研究了在GaAs(100)和InAs(100)上锡稳定的(1×2)和(1×4)重建
机译:在INAS(100)和INP(100)上的FE-触点,其特征在于转化电子MOSTBAUER光谱
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:二维电子光谱仪揭开sub-100的面纱Cd-硫族化物纳米结构中的fs电子和空穴弛豫动力学
机译:Inas(100)和Inp(100)上的Fe-触点的特征在于转换电子穆斯堡尔谱