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Amorphization of Si(100) under O+ implantation studied by spectroscopic ellipsometry

机译：椭圆偏振光谱法研究O +注入下Si（100）的非晶化

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The amorphization of crystalline Si (100) under 125 keV O+ ion implantation is investigated in the fluence range 1 X 10(14) ions/cm(2) to 1 X 10(16) ions/cm(2). The microstructure of the O+ implanted Si is modeled from ellipsometric data using a two phase, multilayer model within Bruggeman effective medium approximation (BEMA). The transition from the crystalline to the amorphous phase is found to be smooth and progressive. From a detailed analysis of the moments of the dielectric spectra and laser Raman spectroscopy, we infer that the amorphization occurs through a progressive disruption of long-range order caused by the overlap of amorphous nanozones. The dielectric spectrum of the fully amorphous phase is characterized using the Forouhi-Bloomer interband model. (c) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：在125 keV O +离子注入下，在1 X 10（14）离子/ cm（2）到1 X 10（16）离子/ cm（2）的注量范围内研究了晶体Si（100）的非晶化。使用Bruggeman有效介质近似（BEMA）内的两相多层模型，根据椭圆偏振数据对O +注入的Si的微观结构进行建模。发现从结晶相到无定形相的过渡是平滑和渐进的。从介电谱矩和激光拉曼光谱的详细分析中，我们推断出非晶化是通过非晶态纳米区的重叠引起的长程有序破坏逐渐发生的。使用Forouhi-Bloomer带间模型来表征完全非晶相的介电谱。 （c）2004 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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