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首页> 外文期刊>Solid State Communications >The effect of capping layer Ta on magnetic behaviour for multilayers Ta/Co/Co3O4/Ta
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The effect of capping layer Ta on magnetic behaviour for multilayers Ta/Co/Co3O4/Ta

机译：覆盖层Ta对多层Ta / Co / Co3O4 / Ta磁性行为的影响

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Ta/CO/Co3O4/Ta and Ta/Co/Co3O4 multilayers were fabricated in a magnetron sputtering system under the same experimental conditions. The exchange bias field H-E of Ta/CO/Co3O4/Ta was found obviously higher than that of Ta/CO/Co3O4. The results of XPS showed that some Ta atoms of capping layer in Ta/Co/Co3O4/Ta diffused into Co3O4 layer and reduced most of Co3O4 to CoO and a minor part to metallic Co, and introduced some non-magnetic defects of Ta oxide into the AFM layer. The effective thickness of interfacial layer CoO was evaluated according to the finite-size effect. Two possible reasons of enhancement of H-E by Ta capping layer were proposed. The dilution of the AFM layer by Ta oxide may lead to the formation of AFM domains and some surplus magnetization to enhance H-E. The metallic Co enchased in CoO matrix may lead to an increase of FM-AFM interface for the enhancement of H-E. (C) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：在相同的实验条件下，在磁控溅射系统中制造了Ta / CO / Co3O4 / Ta和Ta / Co / Co3O4多层膜。发现Ta / CO / Co3O4 / Ta的交换偏压场H-E明显高于Ta / CO / Co3O4。 XPS的结果表明，Ta / Co / Co3O4 / Ta中覆盖层的一些Ta原子扩散到Co3O4层中，大部分Co3O4还原为CoO，少部分还原为金属Co，并引入了Ta的非磁性缺陷。 AFM层。根据有限尺寸效应来评估界面层CoO的有效厚度。提出了用Ta覆盖层增强H-E的两个可能原因。 Ta氧化物对AFM层的稀释可能导致AFM域的形成和一些多余的磁化强度以增强H-E。 CoO基体中的金属Co可能导致FM-AFM界面的增加，以增强H-E。 （C）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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