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【24h】

Spin susceptibility of two-dimensional hole gases in GaAs/AlGaAs hetero structures

机译：GaAs / AlGaAs异质结构中二维空穴气体的自旋磁化率

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We report measurements of spin susceptibility of a two-dimensional hole gas confined at an GaAs/AlGaAs interface in density range from 2.8 X 10(10) to 6.5 X 10(10) cm(-2). We used the method of spin polarization of carriers in parallel magnetic field. We observed an enhancement of the spin susceptibility over the bulk value that increases as the density is decreased in qualitative agreement with Quantum Monte Carlo calculations. The measured enhancement factor increases from 2.5 to 4.8 as the hole density is decreased. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：我们报告了在2.8 X 10（10）到6.5 X 10（10）cm（-2）的密度范围内限制在GaAs / AlGaAs界面上的二维空穴气体的自旋磁化率的测量值。我们使用了平行磁场中载流子的自旋极化方法。我们观察到自旋磁化率在体积值上的增强，随着量子蒙特卡罗计算的定性一致，密度降低时，体积密度增加。随着空穴密度的降低，测得的增强因子从2.5增加到4.8。 （c）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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