• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Solid State Communications >Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
【24h】

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches

机译：InGaAs和InP光电导开关的太赫兹发射的仿真和优化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We simulate the terahertz emission from laterally biased InGaAs and InP using a three-dimensional carrier dynamics model in order to optimise the semiconductor material. Incident pump-pulse parameters of current Ti:Sapphire and Enfibre lasers are chosen, and the simulation models the semiconductor's bandstructure using parabolic Γ, L and X valleys, and heavy holes. The emitted terahertz radiation is propagated within the semiconductor and into free space using a model based on the Drude-Lorentz dielectric function. As the InGaAs alloy approaches IAs an increase in the emitted power is observed, and this is attributed to a greater electron mobility. Additionally, low-temperature grown and ion-implanted InGaAs are modelled using a finite carrier trapping time. At sub-picosecond trapping times the terahertz bandwidth is found to increase significantly at the cost of a reduced emission power.
机译：为了优化半导体材料，我们使用三维载流子动力学模型模拟了横向偏置的InGaAs和InP的太赫兹发射。选择当前的Ti：Sapphire和Enfibre激光器的入射泵浦脉冲参数，并使用抛物线Γ，L和X谷和重空穴对半导体的能带结构进行仿真。使用基于Drude-Lorentz介电函数的模型，所发射的太赫兹辐射会在半导体内传播并进入自由空间。当InGaAs合金接近IAs时，观察到发射功率的增加，这归因于更大的电子迁移率。此外，使用有限的载流子俘获时间对低温生长和离子注入的InGaAs进行建模。发现在亚皮秒捕获时间，太赫兹带宽显着增加，但代价是发射功率降低。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号