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【24h】

Selenium adsorption on Cs-covered Si(100) 2x1 surfaces

机译：硒在Cs覆盖的Si（100）2x1表面上的吸附

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This report involves the study of Sc adsorption on caesialed Si(100) 2 x 1 surfaces in ultra high vacuum (UHV) using low energy electron diffraction, Auger electron spectroscopy, thermal desorption spcctroscopy and work function measurements. Selenium atoms on Cs/Si(100) 2 x 1 surface adsorb initially on uncaesiated portions of Si and subsequently on the Cs overlaycr. The presence of Se increases the binding energy of Cs on Si(100). For Cs and Se coverages above 0.5 ml CsSe and Cs_xSe_ySi_z compound formation was observed. The coadsorption of Se and Cs induces a high degree of surface disorder, while desorption most probably causes surface etching. The presence of Cs on Si(100) 2 x 1 surfaces prevents the diffusion of Se into the Si substrate and greatly suppresses the formation of SiSe_2 and SiSe_3, detected when Se is adsorbed on clean Si( 100) 2 x 1 surfaces.
机译：该报告涉及使用低能电子衍射，俄歇电子能谱，热解吸散射光谱和功函数测量在超高真空（UHV）中对Ca（1）的Si（100）2 x 1表面上的Sc吸附进行研究。 Cs / Si（100）2 x 1表面上的硒原子最初吸附在Si的未钙化部分上，然后吸附在Cs覆盖层上。 Se的存在增加了Cs在Si（100）上的结合能。对于Cs和Se覆盖量超过0.5 ml的CsSe和Cs_xSe_ySi_z化合物的形成。 Se和Cs的共吸附会引起高度的表面紊乱，而解吸则最有可能引起表面蚀刻。在Se（100）2 x 1表面上存在Cs可以防止Se扩散到Si衬底中，并极大地抑制了Se吸附在干净的Si（100）2 x 1表面上时检测到的SiSe_2和SiSe_3的形成。

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