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Universal explicit expression for quantum Hall conductance at any temperatures and chemical potentials

机译：通用显式表达在任何温度和化学势下的量子霍尔电导

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This paper generalises the theorem already obtained [Solid State Commun. 127 (2003) 505] for the high mobility, dissipationless, integer quantum Hall systems at T = 0 K to the T > 0 K situations. The results obtained are again suitable at both microscopic and macroscopic scales. In comparison [Solid State Commun. 127 (2003) 505], this generalised form gives a universal explicit expression for the Hall conductance σ_(xy)(μ, T) between any two points selected in such a system as a function of chemical potential and temperature. Further, thermal deviation Δσ_(xy)(μ, T) from the exact quantised values of σ_(xy)(μ, T) and the minimum slopes of Hall plateaux in the T > 0 cases, observed already in experiments, are also derived in theory. Similar to those in the T = 0 K case [Solid State Commun. 127 (2003) 505], the overall quantum Hall behaviour of the system can again be obtained from this theory by simply selecting two points on the two Hall contacts.
机译：本文概括了已经获得的定理[Solid State Commun。 [127（2003）505]适用于T = 0 K到T> 0 K情况下的高迁移率，无耗散的整数量子霍尔系统。所获得的结果再次适用于微观和宏观尺度。相比之下[固态社区。 [J.Biol.Chem.127（2003）505]中，该概括形式给出了在该系统中选择的任意两个点之间的霍尔电导σ_（xy）（μ，T）的通用显式表达式，其是化学势和温度的函数。此外，还得出了从σ_（xy）（μ，T）的精确量化值到T> 0情况下霍尔平台的最小斜率的热偏差Δσ_（xy）（μ，T），已经在实验中观察到了。理论上。类似于在T = 0 K情况下的情况[Solid State Commun。 127（2003）505]，系统的整体量子霍尔行为可以再次从该理论中获得，方法是简单地选择两个霍尔接触点上的两个点。

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