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机译:在设置/重置验证编程期间评估电压与脉冲宽度调制和反馈的关系,以实现50 nm HfO_2 ReRAM达到1000万个周期
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
Chuo University, Korakuen Campus Bldg #2 1-13-27 Kasuga, Bunkyo-ku, Tokyo 112-8551, Japan;
Chuo University, Korakuen Campus Bldg #2 1-13-27 Kasuga, Bunkyo-ku, Tokyo 112-8551, Japan;
ReRAM; Program verify; Endurance; Cycling;
机译:通过智能设置/重置脉冲形状优化和验证方案,增强耐久性和50 nm世代基于HfO_2的电阻随机存取存储单元的高速设置/重置
机译:设置电流与复位电压的组合调制,可实现基于细丝的RRAM 2位/单元性能
机译:空间矢量与七相电压源逆变器的基于正弦载波的脉冲宽度调制
机译:对50nm HfO2 ReRAM实现1000万个周期的验证编程方法的研究
机译:具有电容反馈复位的32 * 32像素脉冲频率调制视觉芯片的原型和评估