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首页> 外文期刊>Solid-State Electronics >On the impact of Ag doping on performance and reliability of GeS_2-based conductive bridge memories
【24h】

On the impact of Ag doping on performance and reliability of GeS_2-based conductive bridge memories

机译：Ag掺杂对GeS_2基导电桥存储器性能和可靠性的影响

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摘要

In this work, we study the impact of Ag doping on GeS_2-based CBRAM devices employing Ag as active electrode. Several devices with Ag doping varying between 10% and 24% are extensively analyzed. First, we assess switching voltages and time-to-set as a function of Ag concentration in the electrolyte layer. Subsequently, we evaluate the two most important reliability aspects of RRAM devices: endurance and data retention at different temperatures. The results show that an increase of Ag doping in the GeS_2 layer yields a strong improvement to both endurance and data retention performances. The extrapolated temperature allowing for 10 years data retention increases from 75℃ for the 10% Ag-doped sample to 109℃ for the 24% Ag-doped one.
机译：在这项工作中，我们研究了Ag掺杂对采用Ag作为有源电极的GeS_2基CBRAM器件的影响。大量分析了Ag掺杂在10％到24％之间的几种器件。首先，我们评估开关电压和设定时间与电解质层中银浓度的关系。随后，我们评估了RRAM设备的两个最重要的可靠性方面：在不同温度下的耐久性和数据保留。结果表明，GeS_2层中Ag掺杂的增加对耐久性和数据保留性能都有了很大的改善。允许保留10年数据的外推温度从掺银量10％的样品的75℃增加到掺银量24％的样品的109℃。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2013年第6期|155-159|共5页
  • 作者

    F. Longnos; E. Vianello; C. Cagli; G. Molas; E. Souchier; P. Blaise; C. Carabasse; G. Rodriguez; V. Jousseaume; B. De Salvo; F. Dahmani; P. Verrier; D. Bretegnier; J. Liebault;

  • 作者单位

    Altis Semiconductor, 224 Bd John Kennedy, 91105 Corbeil Essonnes Cedex, France;

    CEA-LETI 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;

    CEA-LETI 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;

    CEA-LETI 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;

    CEA-LETI 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;

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    Altis Semiconductor, 224 Bd John Kennedy, 91105 Corbeil Essonnes Cedex, France;

    Altis Semiconductor, 224 Bd John Kennedy, 91105 Corbeil Essonnes Cedex, France;

    Altis Semiconductor, 224 Bd John Kennedy, 91105 Corbeil Essonnes Cedex, France;

    Altis Semiconductor, 224 Bd John Kennedy, 91105 Corbeil Essonnes Cedex, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    CBRAM; CeS_2; Ag; Doping; Data retention;

    机译：CBRAM;CeS_2;银掺杂资料保留;

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