Band-to-band tunneling induced substrate hot electron injection (BBISHE) to perform programming for NOR flash memory

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2006年第3期|p.309-315|共7页
• 作者

  Meng-Yi Wu; Sheng-Huei Dai; Kung-Hong Lee; Shu-Fen Hu; Ya-Chin King;

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• 作者单位

  Microelectronics Laboratory, Semiconductor Technology Application Research (STAR) Group, Department of Electronics Engineering, National Tsing-Hua University, Hsin-Chu 300, Taiwan, ROC;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  NOR memory; flash memory; band-to-band tunneling induced substrate hot electron injection (BBISHE);

  机译：NOR存储器;闪存;带间隧穿诱导的衬底热电子注入（BBISHE）;