Influence of the minority carrier extracted by the base electrode on current gain of bipolar power transistors

著录项

• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2006年第3期|p.480-488|共9页
• 作者

  Bo Zhang; Wanjun Chen; Kun Yi; Zhaoji Li;

  展开▼
• 作者单位

  Center of IC Design, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, PR China;

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  base current; current gain; local high-doped base region; BPTs;

  机译：基极电流;电流增益;局部高掺杂基极区;BPT;