High temperature performance of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2006年第3期|p.511-513|共3页
• 作者

  W.S. Tan; M.J. Uren; P.W. Fry; P.A. Houston; R.S. Balmer; T. Martin;

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• 作者单位

  Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Mappin Building, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, UK;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  galium nitride; heterostructure field-effect transistors; Si substrates; high temperature;

  机译：氮化镓;异质结构场效应晶体管;硅衬底;高温;