Analytical model for the programming of source side injection SST superflash split-gate cell using two-dimensional analysis

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2004年第12期|p.2199-2206|共8页
• 作者

  Huinan Guan; Dana Lee; G.P. Li;

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• 作者单位

  Integrated Nanosystems Research Facility, Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Irvine, CA 92697, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  split-gate flash memory; two-dimensional analysis; hot electrons; gate current; substrate current;

  机译：分裂栅闪存;二维分析;热电子;栅电流;衬底电流;