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Thermal annealing effects on the optical gain of InGaN/GaN quantum well structures

机译：热退火对InGaN / GaN量子阱结构的光学增益的影响

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In this work, the variation of the optical gain in the InGaN/GaN quantum well after thermal annealing is simulated. The potential profile change of the quantum well resulting from the interdiffusion of Ga and In atoms across the interface of the well and the barrier during the thermal treatments is assumed to follow Fick's law. The results show that the thermal annealing can induce an increase of the optical gain in the InGaN/GaN quantum well. The maximum optical gain can be obtained at a diffusion length of 0.4 nm of In and Ga atoms. However, an excessive annealing may result in decreasing the optical gain. There is a good agreement between the experimental data in literature and the optimized diffusion length studied in this work.
机译：在这项工作中，模拟了热退火之后InGaN / GaN量子阱中光学增益的变化。假设在热处理过程中，由于Ga和In原子穿过阱和势垒的界面相互扩散而导致的量子阱的势能剖面变化遵循Fick定律。结果表明，热退火可以诱导InGaN / GaN量子阱中光学增益的增加。 In和Ga原子的扩散长度为0.4 nm时可以获得最大的光学增益。但是，过度退火可能会导致光学增益降低。文献中的实验数据与本文研究的最佳扩散长度之间有很好的一致性。

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