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Lattice distortions effect on exciton bound to nitrogen in GaP-rich A~3B~5 alloys

机译:晶格畸变对富含GaP的A〜3B〜5合金中与氮结合的激子的影响

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摘要

Excitons bound to nitrogen impurity in GaP-rich A~3B~5 alloys are investigated. It is shown that crystal lattice deformation, induced by the isoelectronic trap, cause additional shift of the spectral lines. Substitutional atoms give rise to an electric field due to the intrinsic piezoelectric effect and cause dispersion of interatomic distances. This effects determine the shape of spectral components.
机译:研究了富GaP的A〜3B〜5合金中与氮杂质结合的激子。结果表明,由等电子陷阱引起的晶格变形会引起光谱线的其他偏移。取代原子由于固有的压电效应而产生电场,并导致原子间距离的分散。这种影响决定了光谱成分的形状。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2003年第3期|p.497-500|共4页
  • 作者

    I.I. Parfenova;

  • 作者单位

    Department of Physical Chemistry, SETU "LETI", Prof. Popov str. 5, St. Petersburg 197376, Russia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

    excitons; alloys; relaxation;

    机译:激子;合金;松弛;

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