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机译:测试点

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摘要

Keithley's Linda Rae takes a look at power devices. Currently, silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are considered some of the most promising materials for power devices. Rectifier diodes and power transistors with ratings ranging from 600V to more than 2kV are already in production or well on their way there.
机译:吉时利的琳达·雷(Linda Rae)研究了功率器件。当前,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被认为是功率器件最有前途的材料。额定功率从600V到2kV以上的整流二极管和功率晶体管已经投入生产,或者正在生产中。

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  • 来源
    《Solid state technology》 |2012年第2期|p.2|共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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