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【24h】

Noise Reduction Of A-si_(1-x)ge_xo_y Microbolometers By Forminggas Passivation

机译：通过形成气体钝化来降低A-si_（1-x）ge_xo_y微辐射热计的噪声

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We report the reduction of noise voltage power spectral density (PSD) of amorphous Si_(1-x)Ge_xO_y microbolometers by forming gas passivation. The microbolometers fabricated from Si_(1-x)Ge_xO_y were passivated in a rapid thermal annealing chamber in the presence of forming gas at 250 ℃ with different intervals of time starting from 0.5 h to 8 h. The noise voltage PSD was measured at different bias currents before passivation and after different interval of passivation time. It was found that the noise voltage PSD of the bolometers decreased as the passivation time increased. The 1/f-noise coefficient (K_f) was decreased from 7.54 × 10~(-7) to 2.21 × 10~(-10) after 8 h of forming gas passivation performed at 250 ℃.
机译：我们报告通过形成气体钝化降低非晶Si_（1-x）Ge_xO_y微辐射热计的噪声电压功率谱密度（PSD）。将Si_（1-x）Ge_xO_y制成的微辐射热计在快速热退火室中在250℃下有形成气体存在的情况下进行钝化，时间间隔为0.5h至8h。在钝化之前和钝化时间间隔不同之后，在不同的偏置电流下测量噪声电压PSD。已经发现，辐射强度计的噪声电压PSD随着钝化时间的增加而降低。在250℃进行8h的形成气体钝化后，1 / f噪声系数（K_f）从7.54×10〜（-7）降至2.21×10〜（-10）。

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