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Influence of microcrystalline silicon bottom cell on micromorph tandem solar cell performance

机译：微晶硅底部电池对微晶串联太阳能电池性能的影响

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Micromorph tandem solar cells have been realized growing the intrinsic layers of both amorphous silicon top cell and microcrystalline silicon bottom cell by VHF-PECVD at 100 MHz at low substrate temperature (150 ℃). The influence of the microcrystalline p-layer on the bottom cell have been studied by growing single microcrystalline devices. For the bottom absorber material two different regimes have been explored by setting the plasma power at 20 W and 33 W. The effect of the structural composition of the microcrystalline absorber layer on the electrical parameters of the device has been investigated. A wider amorphous to crystalline transition region has been found at 33 W, while larger V_(oc) and FF values have been obtained at 20 W. The highest efficiency (11.1%) has been obtained at 20 W.
机译：通过在低衬底温度（150℃）下通过VHF-PECVD在100 MHz下生长非晶硅顶部电池和微晶硅底部电池的本征层，已经实现了微晶型串联太阳能电池。通过生长单个微晶器件已经研究了微晶p层对底部电池的影响。对于底部吸收体材料，通过将等离子功率设置为20 W和33 W，探索了两种不同的状态。研究了微晶吸收体层的结构组成对器件电学参数的影响。在33 W下发现了更宽的非晶态至晶体过渡区，而在20 W下获得了更大的V_（oc）和FF值。在20 W下获得了最高的效率（11.1％）。

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