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首页> 外文期刊>Thin Solid Films >Three-stage evaporation of Cu(In,Ga)S_2 solar cell absorber films without KCN treatment and Na control
【24h】

Three-stage evaporation of Cu(In,Ga)S_2 solar cell absorber films without KCN treatment and Na control

机译：未经KCN处理和Na控制的Cu（In，Ga）S_2太阳能电池吸收膜的三阶段蒸发

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Cu-poor Cu(In,Ga)S_2 films have been prepared by three-stage sequential evaporation ((In,Ga)-S/Cu-S/(In,Ga)-S) on Mo covered soda-lime glass without Na control. The depth profiles of O and Na in the grown films were investigated by secondary ion mass spectroscopy (SIMS). It has been found that the O-concentration was constant in the bulk, and decreased close to the surface comparable to the case of the two-stage process. The observed depth profile of Na resembles that of O. The efficiencies of solar cells from the O_2-annealed Cu-rich Cu(In,Ga)S_2 films did not increase, but the efficiencies of some solar cells prepared from Cu-poor Cu(In,Ga)S_2 films increased when the absorber was annealed in oxygen. The best efficiency of a solar cell from our O_2-annealed Cu-poor Cu(In,Ga)S_2 films was 9.3% (no antireflection coating) without KCN treatment and Na control.
机译：贫铜的Cu（In，Ga）S_2薄膜是通过在不带Na的Mo覆盖钠钙玻璃上进行三阶段连续蒸发（（In，Ga）-S / Cu-S /（In，Ga）-S）制备的控制。通过二次离子质谱（SIMS）研究了生长膜中O和Na的深度分布。已经发现，与两步法的情况相比，在主体中O浓度是恒定的，并且在表面附近降低。观察到的Na的深度剖面类似于O的深度剖面。O_2退火的富Cu（Cu，In，Ga）S_2薄膜的太阳能电池的效率没有增加，但是一些贫铜的Cu（当吸收剂在氧气中退火时，In，Ga）S_2薄膜增加。我们的O_2退火的贫Cu（In，Ga）S_2薄膜的最佳太阳能电池效率是9.3％（无抗反射涂层），而不经过KCN处理和Na控制。

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