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パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化

机译：脉冲激光沉积法制备铝掺杂氧化锌透明导电膜的超薄膜

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摘要

PLD法でガラス基板上にAZO透明導電膜を作製し，以下rnの結果を得た．rn1）基板温度260℃，膜厚40nmの時，最も低い抵抗率rn2.61×10~(-4)Ω・cmの良好な値が得られた．rn2）超薄膜領域の膜厚20nmにおいても，抵抗率3.91×rn10~(-4)Ω・cmの低抵抗なAZO透明導電膜が得られた．rn3）いずれの薄膜も可視光領域における平均透過率は90rn%以上を有していた．rn4）FE-SEMおよびAFMにより，超薄膜領域（膜厚20rnnm）において島状構造ほ確認できず，また表面平均粗さRarnは1.78nmの平坦な膜が得られた．
机译：通过PLD法在玻璃基板上制备AZO透明导电膜，得到以下结果。 rn1）在基板温度为260℃，膜厚为40nm的情况下，最低电阻率为rn2.61×10〜（-4）Ωcm。 rn2）即使在超薄膜区域中的膜厚度为20nm时，也可获得3.91×rn10〜（-4）Ω·cm的低电阻的AZO透明导电膜。 3）所有薄膜在可见光区域的平均透射率为90rn％或更高。 rn4）FE-SEM和AFM在超薄膜区域（膜厚20nmnm）中未确认岛状结构，得到表面平均粗糙度Rarn为1.78nm的平坦膜。

著录项

  • 来源
    《真空》 |2008年第5期|323-325|共3页
  • 作者

    中村　真貴; 生田　公洋; 青木　孝憲; 鈴木　晶雄; 松下　辰彦; 奥田　昌宏;

  • 作者单位

    大阪産業大学工学部電子情報通信工学科（〒574-8530 大阪府大東市中垣内3-1-1）;

    大阪産業大学工学部電子情報通信工学科（〒574-8530 大阪府大東市中垣内3-1-1）;

    大阪産業大学工学部電子情報通信工学科（〒574-8530 大阪府大東市中垣内3-1-1）;

    大阪産業大学工学部電子情報通信工学科（〒574-8530 大阪府大東市中垣内3-1-1）;

    大阪産業大学工学部電子情報通信工学科（〒574-8530 大阪府大東市中垣内3-1-1）;

    奥田技術事務所（〒591-8032 大阪府堺市百舌鳥梅町1-2-27）;

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