半導体デバイスの微細化技術がほぼ限界に達しつつある．rnこれに変わるデバイスとして，分子や金属接点を用いたrnナノデバイスが提案されている．金属接点の研究は，1993rn年に室温において量子化コンダクタンスを示すことが明らかrnになって以来，精力的に行われている．現在，金属接点rnを用いたスイッチングデバイスが作製され，電子デバイスとrn同程度の動作時間を保ち，スイッチング電圧10mVというrn低消費電力になることが報告されている．%Using a transmission electron microscope combined with a scanning tunneling microscope, we find that the gold nanowire with the axis along the [110] direction shows quantized conductance clearly. The conductance histogram taken from three hundreds of thinning processes for the gold < 110> nanowire shows nearly regular conductance peaks with a step of quantized unit of conductance below 30G_0( = 2e~2/h). We determine conductance value of each stable gold <110> nanowire with symmetric hexagonal cross-section from analyzing the TEM images viewed from two different directions. For example, the nanowire consisting of seven or twelve <110> atomic rows has conductance of 6 or 9 G_0, respectively.
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