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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Post UV irradiation annealing of E ' centers in silica controlled by H-2 diffusion
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Post UV irradiation annealing of E ' centers in silica controlled by H-2 diffusion

机译：通过H-2扩散控制二氧化硅中E'中心的紫外线照射后退火

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We investigate the isothermal annealing of E' centers generated by UV photons (266 nm) of a pulsed Nd:YAG laser in two natural silica types differing for their OH content. Electron spin resonance and absorption spectra recorded at room temperature at different delays from the laser exposure evidenced a partial reduction of E' centers, more pronounced in the wet silica. These post irradiation kinetics complete within 10(5) s, regardless the silica type, and they are consistent with a diffusion limited reaction between the E' centers and the molecular hydrogen H-2. Analysis of our data is done by theoretical fits using the Waite's equation and compared with the H-2 diffusion parameters reported in literature. Finally, the interplay between the under radiation generation and the post irradiation annealing of E' centers was investigated through repetitive laser exposures, which evidenced the higher resistance of wet silica to induced laser damage. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们研究了两种天然二氧化硅类型的OH含量不同的脉冲Nd：YAG激光的紫外光子（266 nm）产生的E'中心的等温退火。室温下在不同的激光照射延迟下记录的电子自旋共振和吸收光谱表明，E'中心部分降低，在湿法二氧化硅中更为明显。无论二氧化硅类型如何，这些辐照后动力学均会在10（5）s内完成，并且与E'中心与分子氢H-2之间的扩散受限反应一致。我们的数据分析是使用Waite方程通过理论拟合进行的，并与文献中报道的H-2扩散参数进行了比较。最后，通过重复激光照射研究了辐射不足的产生与E'中心的辐射后退火之间的相互作用，这证明了湿法二氧化硅对诱导的激光损伤具有更高的抵抗力。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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