...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Band offsets in III-nitride heterostructures
【24h】

Band offsets in III-nitride heterostructures

机译：III型氮化物异质结构中的能带偏移

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present a theoretical investigation of band offsets in GaN-based group III-nitride ternary/binary heterostructures with zinc blende structure. The band offsets in InGaN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures were studied using the recently proposed extended sp(3) tight binding model (Unlu H 2001 Phys. Status Solidi. b 223 195). Simulations show a small valence band offset in AlGaN/GaN heterostructure and large valence band offset in the InGaN/GaN heterostructure. Furthermore, the tensile strain in AlGaN leads to positive bowing of the conduction band offsets in AlGaN/GaN heterostructure, and the compressive strain in InGaN leads to negative bowing of conduction band offsets in InGaN/GaN heterostructure as a function of composition. Good agreement is found between predictions and experiment. [References: 12]
机译：我们目前对带锌共混物结构的GaN基III族氮化物三元/二元异质结构中的带隙进行了理论研究。使用最近提出的扩展的sp（3）紧密键合模型（Unlu H 2001 Phys。Status Solidi。b 223 195）研究了InGaN / GaN和AlGaN / GaN异质结构中的能带偏移。仿真显示，AlGaN / GaN异质结构中的价带偏移较小，而InGaN / GaN异质结构中的价带偏移较大。此外，AlGaN中的拉伸应变导致AlGaN / GaN异质结构中导带偏移的正弯曲，而InGaN中的压缩应变导致InGaN / GaN异质结构中的导带偏移根据组成的负弯曲。在预测和实验之间找到了很好的一致性。 [参考：12]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号